EXICON ECW20P20 Transistor MOSFET

Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio.
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Informations

Exicon ECW20P20

Transistor MOSFET

EXICON ECW20P20 Transistor MOSFET

Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio. Leur stabilité de fonctionnement et thermique les rend extrêmement fiables et supprime la nécessité d'un circuit de protection. Ces avantages, associés à une large bande passante, à de faibles exigences en matière d'énergie et à la facilité de mise en parallèle permettent la construction aisée d'amplificateurs robustes, dotés d'excellentes caractéristiques sonores.

Le ECW10P20 possède des performances de qualité :

  • Spécifiquement conçu pour les applications d'amplification audio.
  • Conductivité thermique élevée.
  • Excellentes caractéristiques de fréquence.
  • Diode de protection intégrée.
  • Absence de concentration de courant, pour une résistance élevée à la destruction électrique.
  • Caractéristiques thermiques protégeant contre les courts-circuits et l'emballement thermique.
  • Complémentaire au modèle ECW20N20
EXICON ECW20P20 Transistor MOSFET

Caractéristiques techniques

Spécifications
Type de produitMOSFET
Nombre de contacts3
PackageTO 264
Valeurs maximum (Tc = 25°C)
Tension drain-source (Vdss)-200V
Tension grille-source (Vgss)+/-14V
Courant drain continu (Id)-16A
Courant d'attaque (Idr)-16A
Dissipation de puissance permise * Tcase=25°C (Pd)250W
Température canaux (Tch)150°C
Plage de température de stockage (Tstg)-55°C à 150°C
Caractéristiques électriques (TC = 25°C)
SymboleParamètresConditions de testMin.Typ.Max.
BVdsxTension de rupture drain-sourceVgs = 10V
Id = -10mA
-200V--
Vgs(off)Tension de coupure grille-sourceVds = 10V
Id = -100mA
-0.1V--1.5V
Vds(sat)Tension de saturation drain-sourceVgd = 0
Id = -16A
---12V
IdsxCourant de coupure drain-sourceVgs = -10V
Vds = -200V
---10mA
Caractéristiques dynamiques
SymboleParamètresConditions de testMin.Typ.Max.
CissCapacitance d'entréeVgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz-1850pF-
CossCapacitance de sortieVgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz-850pF-
CrssCapacitance de transfert inverseVgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz-55pF-
TonTurn-on timeVds = -20V / Id = 7A-150ns-
ToffTurn-off timeVds = -20V / Id = 7A-105ns-
EXICON ECW20P20 Transistor MOSFET
 
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