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EXICON ECW20P20 Transistor MOSFET
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Accessoires pour ce produit
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Exicon ECW20P20
Transistor MOSFET
Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio. Leur stabilité de fonctionnement et thermique les rend extrêmement fiables et supprime la nécessité d'un circuit de protection. Ces avantages, associés à une large bande passante, à de faibles exigences en matière d'énergie et à la facilité de mise en parallèle permettent la construction aisée d'amplificateurs robustes, dotés d'excellentes caractéristiques sonores.
Le ECW10P20 possède des performances de qualité :
- Spécifiquement conçu pour les applications d'amplification audio.
- Conductivité thermique élevée.
- Excellentes caractéristiques de fréquence.
- Diode de protection intégrée.
- Absence de concentration de courant, pour une résistance élevée à la destruction électrique.
- Caractéristiques thermiques protégeant contre les courts-circuits et l'emballement thermique.
- Complémentaire au modèle ECW20N20
Caractéristiques techniques
| Spécifications | |
|---|---|
| Type de produit | MOSFET |
| Nombre de contacts | 3 |
| Package | TO 264 |
| Valeurs maximum (Tc = 25°C) | |
|---|---|
| Tension drain-source (Vdss) | -200V |
| Tension grille-source (Vgss) | +/-14V |
| Courant drain continu (Id) | -16A |
| Courant d'attaque (Idr) | -16A |
| Dissipation de puissance permise * Tcase=25°C (Pd) | 250W |
| Température canaux (Tch) | 150°C |
| Plage de température de stockage (Tstg) | -55°C à 150°C |
| Caractéristiques électriques (TC = 25°C) | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Symbole | Paramètres | Conditions de test | Min. | Typ. | Max. |
| BVdsx | Tension de rupture drain-source | Vgs = 10V Id = -10mA | -200V | - | - |
| Vgs(off) | Tension de coupure grille-source | Vds = 10V Id = -100mA | -0.1V | - | -1.5V |
| Vds(sat) | Tension de saturation drain-source | Vgd = 0 Id = -16A | - | - | -12V |
| Idsx | Courant de coupure drain-source | Vgs = -10V Vds = -200V | - | - | -10mA |
| Caractéristiques dynamiques | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Symbole | Paramètres | Conditions de test | Min. | Typ. | Max. |
| Ciss | Capacitance d'entrée | Vgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz | - | 1850pF | - |
| Coss | Capacitance de sortie | Vgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz | - | 850pF | - |
| Crss | Capacitance de transfert inverse | Vgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz | - | 55pF | - |
| Ton | Turn-on time | Vds = -20V / Id = 7A | - | 150ns | - |
| Toff | Turn-off time | Vds = -20V / Id = 7A | - | 105ns | - |
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